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FDG6320C_D87Z

FDG6320C_D87Z

僅供參考

型號 FDG6320C_D87Z
PNEDA編號 FDG6320C_D87Z
描述 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6320C_D87Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6320C_D87Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6320C_D87Z, FDG6320C_D87Z數據表 (總頁數: 11, 大小: 300.32 KB)
PDFFDG6320C_D87Z數據表 封面
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FDG6320C_D87Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220mA, 140mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9.5pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

478.9pF @ 16V

功率-最大

1.42W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1151pF @ 20V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 25V

功率-最大

120mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A, 31A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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