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FDPF3860T

FDPF3860T

僅供參考

型號 FDPF3860T
PNEDA編號 FDPF3860T
描述 MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDPF3860T資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDPF3860T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDPF3860T, FDPF3860T數據表 (總頁數: 8, 大小: 584.14 KB)
PDFFDPF3860TYDTU數據表 封面
FDPF3860TYDTU數據表 頁面 2 FDPF3860TYDTU數據表 頁面 3 FDPF3860TYDTU數據表 頁面 4 FDPF3860TYDTU數據表 頁面 5 FDPF3860TYDTU數據表 頁面 6 FDPF3860TYDTU數據表 頁面 7 FDPF3860TYDTU數據表 頁面 8

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FDPF3860T規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs38.2mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)33.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta), 10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

132mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

282pF @ 37.5V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

510mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

550W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

76A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

109nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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功耗(最大值)

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