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FDR8508P

FDR8508P

僅供參考

型號 FDR8508P
PNEDA編號 FDR8508P
描述 MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDR8508P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDR8508P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDR8508P, FDR8508P數據表 (總頁數: 8, 大小: 276.35 KB)
PDFFDR8508P數據表 封面
FDR8508P數據表 頁面 2 FDR8508P數據表 頁面 3 FDR8508P數據表 頁面 4 FDR8508P數據表 頁面 5 FDR8508P數據表 頁面 6 FDR8508P數據表 頁面 7 FDR8508P數據表 頁面 8

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FDR8508P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs52mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 15V
功率-最大800mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供應商設備包裝SuperSOT™-8

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

功率-最大

34W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37.6mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1533pF @ 25V

功率-最大

53W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

419pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

610mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

396mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

功率-最大

220mW

工作溫度

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