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SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1024X-T1-GE3
PNEDA編號 SI1024X-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 138,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1024X-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1024X-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1024X-T1-GE3, SI1024X-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 167.16 KB)
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SI1024X-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)485mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.75nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.8mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

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