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SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1024X-T1-GE3
PNEDA編號 SI1024X-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 138,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1024X-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1024X-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1024X-T1-GE3, SI1024X-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 167.16 KB)
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SI1024X-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)485mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.75nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

功率-最大

3.12W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.03A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

59.76pF @ 16V

功率-最大

530mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

308nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8700pF @ 25V

功率-最大

694W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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