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FDS3812

FDS3812

僅供參考

型號 FDS3812
PNEDA編號 FDS3812
描述 MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS3812資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS3812
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS3812, FDS3812數據表 (總頁數: 5, 大小: 86.38 KB)
PDFFDS3812數據表 封面
FDS3812數據表 頁面 2 FDS3812數據表 頁面 3 FDS3812數據表 頁面 4 FDS3812數據表 頁面 5

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FDS3812規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs74mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds634pF @ 40V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 60V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

531pF @ 10V

功率-最大

710mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs(th)(最大)@ ID

220mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

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