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FDS4897C

FDS4897C

僅供參考

型號 FDS4897C
PNEDA編號 FDS4897C
描述 MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 275,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS4897C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS4897C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS4897C, FDS4897C數據表 (總頁數: 11, 大小: 278.11 KB)
PDFFDS4897C數據表 封面
FDS4897C數據表 頁面 2 FDS4897C數據表 頁面 3 FDS4897C數據表 頁面 4 FDS4897C數據表 頁面 5 FDS4897C數據表 頁面 6 FDS4897C數據表 頁面 7 FDS4897C數據表 頁面 8 FDS4897C數據表 頁面 9 FDS4897C數據表 頁面 10 FDS4897C數據表 頁面 11

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FDS4897C規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A, 4.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds760pF @ 20V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6200pF @ 15V

功率-最大

46W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

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安裝類型

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

485mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 30V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1325pF @ 12V

功率-最大

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