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FDS4935

FDS4935

僅供參考

型號 FDS4935
PNEDA編號 FDS4935
描述 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $6.1262
250 ---------- $5.8390
500 ---------- $5.5519
1,000 ---------- $5.2647
2,500 ---------- $5.0254
5,000 ---------- $4.7861
庫存 4,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS4935資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS4935
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS4935, FDS4935數據表 (總頁數: 5, 大小: 122.67 KB)
PDFFDS4935數據表 封面
FDS4935數據表 頁面 2 FDS4935數據表 頁面 3 FDS4935數據表 頁面 4 FDS4935數據表 頁面 5

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FDS4935規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1233pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

787pF @ 6V

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 16V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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