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FDS6812A

FDS6812A

僅供參考

型號 FDS6812A
PNEDA編號 FDS6812A
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 25 - 三月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6812A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6812A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS6812A, FDS6812A數據表 (總頁數: 5, 大小: 79.94 KB)
PDFFDS6812A數據表 封面
FDS6812A數據表 頁面 2 FDS6812A數據表 頁面 3 FDS6812A數據表 頁面 4 FDS6812A數據表 頁面 5

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FDS6812A規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1082pF @ 10V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 6.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

605pF @ 15V

功率-最大

800mW, 810mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A, 6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

472pF @ 15V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

FDMD84100

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 50V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A, 41A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 12V

功率-最大

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