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NVMFD5485NLWFT1G

NVMFD5485NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5485NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5485NLWFT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5485NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5485NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5485NLWFT1G, NVMFD5485NLWFT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 134.27 KB)
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NVMFD5485NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs44mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds560pF @ 25V
功率-最大2.9W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

129pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

789pF @ 10V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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