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FDS8333C

FDS8333C

僅供參考

型號 FDS8333C
PNEDA編號 FDS8333C
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS8333C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS8333C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS8333C, FDS8333C數據表 (總頁數: 8, 大小: 134.75 KB)
PDFFDS8333C數據表 封面
FDS8333C數據表 頁面 2 FDS8333C數據表 頁面 3 FDS8333C數據表 頁面 4 FDS8333C數據表 頁面 5 FDS8333C數據表 頁面 6 FDS8333C數據表 頁面 7 FDS8333C數據表 頁面 8

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FDS8333C規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.1A, 3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds282pF @ 10V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

功率-最大

38W (Tc), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerWDFN

供應商設備包裝

8-PowerPair® (6x5)

FDC6327C

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A, 1.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

SuperSOT™-6

MCH6663-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

88pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

150°C (TJ)

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