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FDS8949-F085

FDS8949-F085

僅供參考

型號 FDS8949-F085
PNEDA編號 FDS8949-F085
描述 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS8949-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS8949-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS8949-F085, FDS8949-F085數據表 (總頁數: 6, 大小: 454.31 KB)
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FDS8949-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds955pF @ 20V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

2W

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Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 25V

功率-最大

2W

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-

安裝類型

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