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FDV304P-CGB8

FDV304P-CGB8

僅供參考

型號 FDV304P-CGB8
PNEDA編號 FDV304P-CGB8
描述 MOSFET P-CHANNEL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDV304P-CGB8資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDV304P-CGB8
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FDV304P-CGB8規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

538pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.8A (Ta), 40.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2055pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

195W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5Ohm @ 180mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

590pC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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