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FDW2508P

FDW2508P

僅供參考

型號 FDW2508P
PNEDA編號 FDW2508P
描述 MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDW2508P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDW2508P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDW2508P, FDW2508P數據表 (總頁數: 5, 大小: 135.27 KB)
PDFFDW2508P數據表 封面
FDW2508P數據表 頁面 2 FDW2508P數據表 頁面 3 FDW2508P數據表 頁面 4 FDW2508P數據表 頁面 5

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FDW2508P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2644pF @ 6V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V, 20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 15V, 1300pF @ 15V

功率-最大

1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 16V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

工作溫度

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