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IRF7331TR

IRF7331TR

僅供參考

型號 IRF7331TR
PNEDA編號 IRF7331TR
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7331TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7331TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7331TR, IRF7331TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 214.76 KB)
PDFIRF7331TR數據表 封面
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IRF7331TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1340pF @ 16V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

42pF @ 10V

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

153pF @ 50V

功率-最大

700mW

工作溫度

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5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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