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FESB8FT-E3/81

FESB8FT-E3/81

僅供參考

型號 FESB8FT-E3/81
PNEDA編號 FESB8FT-E3-81
描述 DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESB8FT-E3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESB8FT-E3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESB8FT-E3/81, FESB8FT-E3/81數據表 (總頁數: 5, 大小: 130.37 KB)
PDFFES8CT-5400HE3/45數據表 封面
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FESB8FT-E3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

130mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

2pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

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