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NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G NVMFS5A160PLZT1G

僅供參考

型號 NVMFS5A160PLZT1G
PNEDA編號 NVMFS5A160PLZT1G
描述 -60V7.7MOHMSINGLE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5A160PLZT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5A160PLZT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5A160PLZT1G, NVMFS5A160PLZT1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 283.28 KB)
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NVMFS5A160PLZT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs160nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7700pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1245pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3372pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

610mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4029pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 185°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1520pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

2.1W (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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