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FF225R12ME4BOSA1

FF225R12ME4BOSA1

僅供參考

型號 FF225R12ME4BOSA1
PNEDA編號 FF225R12ME4BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 225A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF225R12ME4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF225R12ME4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF225R12ME4BOSA1, FF225R12ME4BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 612.68 KB)
PDFFF225R12ME4BOSA1數據表 封面
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FF225R12ME4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)320A
功率-最大1050W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 225A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce13nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1200V

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150A

功率-最大

446W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.08V @ 15V, 75A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.45nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.18nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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50A

功率-最大

165W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.42V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.43nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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No

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