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FGH40N60SMDF

FGH40N60SMDF

僅供參考

型號 FGH40N60SMDF
PNEDA編號 FGH40N60SMDF
描述 IGBT 600V 80A 349W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 70,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH40N60SMDF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH40N60SMDF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH40N60SMDF, FGH40N60SMDF數據表 (總頁數: 9, 大小: 334.6 KB)
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FGH40N60SMDF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 40A
功率-最大349W
開關能量1.3mJ (on), 260µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用119nC
25°C時的Td(開/關)12ns/92ns
測試條件400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)90ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 25A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/245ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

82A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 21A

功率-最大

160W

開關能量

1.8mJ (on), 1.93mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

86nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/97ns

測試條件

800V, 21A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

63ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

129nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3PN

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

230µJ (on), 1.18mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

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開關能量

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門禁費用

76nC

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測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

131ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D²PAK-3 (TO-263-3)

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