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FJP2160DTU

FJP2160DTU

僅供參考

型號 FJP2160DTU
PNEDA編號 FJP2160DTU
描述 TRANS NPN 800V 2A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 20 - 二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP2160DTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP2160DTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP2160DTU, FJP2160DTU數據表 (總頁數: 14, 大小: 857.88 KB)
PDFFJP2160DTU數據表 封面
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FJP2160DTU規格

制造商ON Semiconductor
系列ESBC™
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)800V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 330mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 400mA, 3V
功率-最大100W
頻率-過渡5MHz
工作溫度-55°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

140mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 600mA, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

18MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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