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FP50R12N2T4B16BOSA1

FP50R12N2T4B16BOSA1

僅供參考

型號 FP50R12N2T4B16BOSA1
PNEDA編號 FP50R12N2T4B16BOSA1
描述 LOW POWER ECONO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FP50R12N2T4B16BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FP50R12N2T4B16BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FP50R12N2T4B16BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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200A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 150A

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1mA

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