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FP7G75US60

FP7G75US60

僅供參考

型號 FP7G75US60
PNEDA編號 FP7G75US60
描述 MODULE IGBT 600V 75A EPM7
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $531.9363
50 ---------- $507.0017
100 ---------- $482.0672
200 ---------- $457.1327
400 ---------- $436.3540
500 ---------- $415.5752
庫存 648
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FP7G75US60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FP7G75US60
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FP7G75US60, FP7G75US60數據表 (總頁數: 10, 大小: 831.97 KB)
PDFFP7G75US60數據表 封面
FP7G75US60數據表 頁面 2 FP7G75US60數據表 頁面 3 FP7G75US60數據表 頁面 4 FP7G75US60數據表 頁面 5 FP7G75US60數據表 頁面 6 FP7G75US60數據表 頁面 7 FP7G75US60數據表 頁面 8 FP7G75US60數據表 頁面 9 FP7G75US60數據表 頁面 10

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FP7G75US60規格

制造商ON Semiconductor
系列Power-SPM™
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大310W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.515nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱EPM7
供應商設備包裝EPM7

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

335W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

140W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

900µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E2

供應商設備包裝

E2

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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