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FPF2G120BF07ASP

FPF2G120BF07ASP

僅供參考

型號 FPF2G120BF07ASP
PNEDA編號 FPF2G120BF07ASP
描述 IC LOAD SWITCH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FPF2G120BF07ASP資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FPF2G120BF07ASP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FPF2G120BF07ASP, FPF2G120BF07ASP數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,799.46 KB)
PDFFPF2G120BF07ASP數據表 封面
FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 2 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 3 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 4 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 5 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 6 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 7 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 8 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 9 FPF2G120BF07ASP數據表 頁面 10

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FPF2G120BF07ASP規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Field Stop
配置3 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
功率-最大156W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 40A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱Module
供應商設備包裝F2

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Infineon Technologies

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

POWIR® 34 Module

供應商設備包裝

POWIR® 34

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Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

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配置

Three Level Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

135A

功率-最大

568W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP2

供應商設備包裝

SP2

FS15R06XE3BOMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

功率-最大

71.5W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

830pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

VS-GB200LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

370A

功率-最大

1562W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.07V @ 15V, 200A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

100nA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Double INT-A-PAK (3 + 4)

供應商設備包裝

Double INT-A-PAK

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