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FQB5N90TM

FQB5N90TM

僅供參考

型號 FQB5N90TM
PNEDA編號 FQB5N90TM
描述 MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 35,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB5N90TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB5N90TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB5N90TM, FQB5N90TM數據表 (總頁數: 8, 大小: 796.55 KB)
PDFFQB5N90TM數據表 封面
FQB5N90TM數據表 頁面 2 FQB5N90TM數據表 頁面 3 FQB5N90TM數據表 頁面 4 FQB5N90TM數據表 頁面 5 FQB5N90TM數據表 頁面 6 FQB5N90TM數據表 頁面 7 FQB5N90TM數據表 頁面 8

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FQB5N90TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 158W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 53µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1770pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 22.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 125W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.2nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1710pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 43W (Tc)

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