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FQD8P10TM_F080

FQD8P10TM_F080

僅供參考

型號 FQD8P10TM_F080
PNEDA編號 FQD8P10TM_F080
描述 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD8P10TM_F080資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD8P10TM_F080
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FQD8P10TM_F080規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds470pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7490pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

125W (Tc)

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FET功能

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功耗(最大值)

110W (Tc)

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