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FQP7N10L

FQP7N10L

僅供參考

型號 FQP7N10L
PNEDA編號 FQP7N10L
描述 MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP7N10L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP7N10L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP7N10L, FQP7N10L數據表 (總頁數: 8, 大小: 545.95 KB)
PDFFQP7N10L數據表 封面
FQP7N10L數據表 頁面 2 FQP7N10L數據表 頁面 3 FQP7N10L數據表 頁面 4 FQP7N10L數據表 頁面 5 FQP7N10L數據表 頁面 6 FQP7N10L數據表 頁面 7 FQP7N10L數據表 頁面 8

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FQP7N10L規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 760mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

22W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-TSOP

包裝/箱

SC-74, SOT-457

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制造商

STMicroelectronics

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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