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FQP9N25C

FQP9N25C

僅供參考

型號 FQP9N25C
PNEDA編號 FQP9N25C
描述 MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP9N25C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP9N25C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP9N25C, FQP9N25C數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,668.89 KB)
PDFFQP9N25CTSTU數據表 封面
FQP9N25CTSTU數據表 頁面 2 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 3 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 4 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 5 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 6 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 7 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 8 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 9 FQP9N25CTSTU數據表 頁面 10

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FQP9N25C規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

230mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 230mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

41pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

517pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

59.4W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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-

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 220W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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7Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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-

功耗(最大值)

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74F00SC

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