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FQPF4N90C

FQPF4N90C

僅供參考

型號 FQPF4N90C
PNEDA編號 FQPF4N90C
描述 MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF4N90C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF4N90C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF4N90C, FQPF4N90C數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,342.69 KB)
PDFFQPF4N90CT數據表 封面
FQPF4N90CT數據表 頁面 2 FQPF4N90CT數據表 頁面 3 FQPF4N90CT數據表 頁面 4 FQPF4N90CT數據表 頁面 5 FQPF4N90CT數據表 頁面 6 FQPF4N90CT數據表 頁面 7 FQPF4N90CT數據表 頁面 8 FQPF4N90CT數據表 頁面 9 FQPF4N90CT數據表 頁面 10 FQPF4N90CT數據表 頁面 11

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FQPF4N90C規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds960pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)47W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.25V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.23W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6920pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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功耗(最大值)

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