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IRFSL4229PBF

IRFSL4229PBF

僅供參考

型號 IRFSL4229PBF
PNEDA編號 IRFSL4229PBF
描述 MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFSL4229PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFSL4229PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFSL4229PBF, IRFSL4229PBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 275.26 KB)
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IRFSL4229PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4560pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)330W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2745pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

155W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2516pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3150pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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