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FQU17P06TU

FQU17P06TU

僅供參考

型號 FQU17P06TU
PNEDA編號 FQU17P06TU
描述 MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 32,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU17P06TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU17P06TU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU17P06TU, FQU17P06TU數據表 (總頁數: 11, 大小: 1,604.91 KB)
PDFFQD17P06TM數據表 封面
FQD17P06TM數據表 頁面 2 FQD17P06TM數據表 頁面 3 FQD17P06TM數據表 頁面 4 FQD17P06TM數據表 頁面 5 FQD17P06TM數據表 頁面 6 FQD17P06TM數據表 頁面 7 FQD17P06TM數據表 頁面 8 FQD17P06TM數據表 頁面 9 FQD17P06TM數據表 頁面 10 FQD17P06TM數據表 頁面 11

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FQU17P06TU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

970mOhm @ 100mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46.1pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

460mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 7V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

68pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

211nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16000pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-HSOF-8-1

包裝/箱

8-PowerSFN

FDZ293P

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制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

754pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta), 1.14W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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