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FS100R12PT4BOSA1

FS100R12PT4BOSA1

僅供參考

型號 FS100R12PT4BOSA1
PNEDA編號 FS100R12PT4BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 100A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS100R12PT4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS100R12PT4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FS100R12PT4BOSA1, FS100R12PT4BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 804.57 KB)
PDFFS100R12PT4BOSA1數據表 封面
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FS100R12PT4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)135A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.3nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

1380W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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75A

功率-最大

310W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.056nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.85nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

功率-最大

215W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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