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FW231A-TL-E

FW231A-TL-E

僅供參考

型號 FW231A-TL-E
PNEDA編號 FW231A-TL-E
描述 MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
制造商 SANYO Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FW231A-TL-E資源

品牌 SANYO Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FW231A-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FW231A-TL-E, FW231A-TL-E數據表 (總頁數: 4, 大小: 39.75 KB)
PDFFW231A-TL-E數據表 封面
FW231A-TL-E數據表 頁面 2 FW231A-TL-E數據表 頁面 3 FW231A-TL-E數據表 頁面 4

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FW231A-TL-E規格

制造商SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1530pF @ 10V
功率-最大2.3W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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12V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 6V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.45A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1.45A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

265pF @ 16V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

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