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SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA537EDJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA537EDJ-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA537EDJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA537EDJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA537EDJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V, 20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds455pF @ 6V
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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4.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 5V

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830pF @ 30V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

153pF @ 50V

功率-最大

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工作溫度

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