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FW813-TL-H

FW813-TL-H

僅供參考

型號 FW813-TL-H
PNEDA編號 FW813-TL-H
描述 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FW813-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FW813-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FW813-TL-H, FW813-TL-H數據表 (總頁數: 4, 大小: 336.43 KB)
PDFFW813-TL-H數據表 封面
FW813-TL-H數據表 頁面 2 FW813-TL-H數據表 頁面 3 FW813-TL-H數據表 頁面 4

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FW813-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs49mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds725pF @ 20V
功率-最大2.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2295pF @ 30V

功率-最大

1.9W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V, 254pF @ 15V

功率-最大

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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