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GD25LE128DLIGR

GD25LE128DLIGR

僅供參考

型號 GD25LE128DLIGR
PNEDA編號 GD25LE128DLIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25LE128DLIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25LE128DLIGR
類別半導體內存IC內存
數據表
GD25LE128DLIGR, GD25LE128DLIGR數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD25LE128DLIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率120MHz
寫周期-字,頁2.4ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱21-XFBGA, WLSCP
供應商設備包裝21-WLCSP

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Tb (512G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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