GD25VE32CVIGR數據表
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 32Mb (4M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.1V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 供應商設備包裝 8-VSOP |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 16Mb (2M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.1V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.1V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-XFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-USON (2x3) |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.1V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 2Mb (256K x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.1V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-XFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-USON (2x3) |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NOR 內存大小 2Mb (256K x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.1V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 120MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-WSON (6x8) |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 120MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-WSON (6x8) |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 120MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 2V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-WSON (6x8) |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 120MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 2V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-WSON (6x8) |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 120MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-WSON (6x8) |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 SPI - Quad I/O 時鐘頻率 120MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-WSON (6x8) |