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GD25Q32CTJGR

GD25Q32CTJGR

僅供參考

型號 GD25Q32CTJGR
PNEDA編號 GD25Q32CTJGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25Q32CTJGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25Q32CTJGR
類別半導體內存IC內存
數據表
GD25Q32CTJGR, GD25Q32CTJGR數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD25Q32CTJGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小32Mb (4M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率120MHz
寫周期-字,頁50µs, 2.4ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-VSOP

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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