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GD5F4GQ4RBYIGR

GD5F4GQ4RBYIGR

僅供參考

型號 GD5F4GQ4RBYIGR
PNEDA編號 GD5F4GQ4RBYIGR
描述 SPI NAND FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD5F4GQ4RBYIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD5F4GQ4RBYIGR
類別半導體內存IC內存
數據表
GD5F4GQ4RBYIGR, GD5F4GQ4RBYIGR數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD5F4GQ4RBYIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率120MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x8)

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

FRAM (Ferroelectric RAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Winbond Electronics

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-VFBGA

供應商設備包裝

96-VFBGA (7.5x13)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-FBGA (6x8)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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