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GP10GEHE3/53

GP10GEHE3/53

僅供參考

型號 GP10GEHE3/53
PNEDA編號 GP10GEHE3-53
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 11 - 十一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP10GEHE3/53資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP10GEHE3/53
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GP10GEHE3/53規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

170pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-205AB, DO-9

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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