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GS1BE-TP

GS1BE-TP

僅供參考

型號 GS1BE-TP
PNEDA編號 GS1BE-TP
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GS1BE-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GS1BE-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GS1BE-TP, GS1BE-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 272.94 KB)
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GS1BE-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMAE)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 900mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 15V

電容@ Vr,F

29pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 40V

電容@ Vr,F

95pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

70µA @ 20V

電容@ Vr,F

50pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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