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GT28F320C3BA110

GT28F320C3BA110

僅供參考

型號 GT28F320C3BA110
PNEDA編號 GT28F320C3BA110
描述 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP
制造商 Intel
單價 請求報價
庫存 6,288
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GT28F320C3BA110資源

品牌 Intel
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GT28F320C3BA110
類別半導體內存IC內存
數據表
GT28F320C3BA110, GT28F320C3BA110數據表 (總頁數: 68, 大小: 1,195.43 KB)
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GT28F320C3BA110規格

制造商Intel
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - Boot Block
內存大小32Mb (2M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-µBGA CSP

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-VFBGA

供應商設備包裝

100-VBGA (12x18)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

64Mb (16M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

84-PLCC (29.21x29.21)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

24-CDIP

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