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GWM160-0055P3

GWM160-0055P3

僅供參考

型號 GWM160-0055P3
PNEDA編號 GWM160-0055P3
描述 MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GWM160-0055P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GWM160-0055P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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GWM160-0055P3規格

制造商IXYS
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱ISOPLUS-DIL™
供應商設備包裝ISOPLUS-DIL™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3281pF @ 25V

功率-最大

68W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

功率-最大

20.2W, 40W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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