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H11D1SR2M

H11D1SR2M

僅供參考

型號 H11D1SR2M
PNEDA編號 H11D1SR2M
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11D1SR2M資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11D1SR2M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11D1SR2M, H11D1SR2M數據表 (總頁數: 13, 大小: 369.97 KB)
PDFH11D1SVM數據表 封面
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H11D1SR2M規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)20% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 5µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)300V
電流-輸出/通道100mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.15V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

73% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

117% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

4-DIP (0.400", 10.16mm)

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頻道數

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

10% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 7µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

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