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HAF1002-90STL-E

HAF1002-90STL-E

僅供參考

型號 HAF1002-90STL-E
PNEDA編號 HAF1002-90STL-E
描述 MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HAF1002-90STL-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HAF1002-90STL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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HAF1002-90STL-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)+3V, -16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-LDPAK
包裝/箱SC-83

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 8A, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

199nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5250pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

625pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2248pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

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