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HERAF1007G C0G

HERAF1007G C0G

僅供參考

型號 HERAF1007G C0G
PNEDA編號 HERAF1007G-C0G
描述 DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HERAF1007G C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HERAF1007G C0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HERAF1007G C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)80ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 25V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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