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HERAF803G C0G

HERAF803G C0G

僅供參考

型號 HERAF803G C0G
PNEDA編號 HERAF803G-C0G
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HERAF803G C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HERAF803G C0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HERAF803G C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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20V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

385mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

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600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.65V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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