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HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

僅供參考

型號 HGTG20N60A4D
PNEDA編號 HGTG20N60A4D
描述 IGBT 600V 70A 290W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 11,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG20N60A4D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG20N60A4D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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HGTG20N60A4D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)280A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 20A
功率-最大290W
開關能量105µJ (on), 150µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用142nC
25°C時的Td(開/關)15ns/73ns
測試條件390V, 20A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)35ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

功率-最大

89W

開關能量

1.18mJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

141nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/180ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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STGF19NC60WD

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制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

32W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/90ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IRG4P254S

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

98A

電流-集電極脈沖(Icm)

196A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 55A

功率-最大

200W

開關能量

380µJ (on), 3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/270ns

測試條件

200V, 55A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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