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HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

僅供參考

型號 HGTG20N60A4D
PNEDA編號 HGTG20N60A4D
描述 IGBT 600V 70A 290W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 11,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG20N60A4D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG20N60A4D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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HGTG20N60A4D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)280A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 20A
功率-最大290W
開關能量105µJ (on), 150µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用142nC
25°C時的Td(開/關)15ns/73ns
測試條件390V, 20A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)35ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.02V @ 15V, 4A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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制造商

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系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

功率-最大

89W

開關能量

1.18mJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

141nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/180ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3PFM, SC-93-3

供應商設備包裝

TO-3PFM

制造商

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系列

GenX3™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

270µJ (on), 90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/42ns

測試條件

300V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD (IXGH)

RGT40NL65DGTL

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

161W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

40nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/75ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

58ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

LPDS

FGD3440G2-F085

ON Semiconductor

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

26.9A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.2V @ 4V, 6A

功率-最大

166W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

-/5.3µs

測試條件

300V, 6.5A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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