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HIP6601BCBZA-T

HIP6601BCBZA-T

僅供參考

型號 HIP6601BCBZA-T
PNEDA編號 HIP6601BCBZA-T
描述 IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP6601BCBZA-T資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP6601BCBZA-T
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP6601BCBZA-T, HIP6601BCBZA-T數據表 (總頁數: 14, 大小: 732.6 KB)
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HIP6601BCBZA-T規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10.8V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)15V
上升/下降時間(典型值)20ns, 20ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

7.5ns, 6.5ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Renesas Electronics America Inc.

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系列

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

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