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HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

僅供參考

型號 HN1C01FE-GR,LF
PNEDA編號 HN1C01FE-GR-LF
描述 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 35,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1C01FE-GR資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1C01FE-GR,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN1C01FE-GR規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大100mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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SOT-963

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

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10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

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