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HN2C01FEYTE85LF

HN2C01FEYTE85LF

僅供參考

型號 HN2C01FEYTE85LF
PNEDA編號 HN2C01FEYTE85LF
描述 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN2C01FEYTE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN2C01FEYTE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN2C01FEYTE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 6V
功率-最大100mW
頻率-過渡60MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

115mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1A, 2V

功率-最大

653mW

頻率-過渡

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500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

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