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HUF75337S3S

HUF75337S3S

僅供參考

型號 HUF75337S3S
PNEDA編號 HUF75337S3S
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUF75337S3S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUF75337S3S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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HUF75337S3S規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs109nC @ 20V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1775pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)175W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

320W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

527pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

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